propriétés du produit
TAPER
DÉCRIS
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Transistor – FET, MOSFET – Réseau
fabricant
Infineon Technologies
série
HEXFET®
Forfait
Bande et bobine (TR)
Bande de cisaillement (CT)
Bobine personnalisée Digi-Reel®
État du produit
en stock
Type FET
2 canaux N (double)
Fonction FET
porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant à 25°C – Drain continu (Id)
8A
Résistance à l'état passant (max) à différents Id, Vgs
17,8 milliohms @ 8A, 10V
Vgs(th) (maximum) à différents identifiants
4V @ 50µA
Charge de grille (Qg) à différents Vgs (max)
36 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) à différents Vds (max)
1330pF @ 30V
Puissance max
2W
température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
type d'installation
Type de montage en surface
Paquet/Enceinte
8-SOIC (0,154″, 3,90 mm de large)
Emballage de l'appareil du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF7351
Médias et téléchargements
TYPE DE RESSOURCE
LIEN
Caractéristiques
IRF7351PBF
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Spécifications HTML
IRF7351PBF
Modèle EDA/CAO
IRF7351TRPBF par Ultra Librarian
Modèle de simulation
Modèle d'épices IRF7351
Classification de l'environnement et des exportations
LES ATTRIBUTS
DÉCRIS
Statut RoHS
Conforme à la spécification ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Statut REACH
Produits non REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
