propriétés du produit
TAPER
DÉCRIS
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Transistor – FET, MOSFET – Unique
fabricant
Infineon Technologies
série
CoolGaN™
Forfait
Bande et bobine (TR)
Bande de cisaillement (CT)
Bobine personnalisée Digi-Reel®
État du produit
abandonné
Type FET
Canal N
La technologie
GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant à 25°C – Drain continu (Id)
31A (TC)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
-
Résistance à l'état passant (max) à différents Id, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) à différents identifiants
1,6V @ 2,6mA
Vg (max)
-10V
Capacité d'entrée (Ciss) à différents Vds (max)
380pF @ 400V
Fonction FET
-
Puissance dissipée (max)
125W (TC)
température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
type d'installation
Type de montage en surface
Emballage de l'appareil du fournisseur
PG-DSO-20-87
Paquet/Enceinte
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm de large)
Numéro de produit de base
IGOT60
Médias et téléchargements
TYPE DE RESSOURCE
LIEN
Caractéristiques
IGOT60R070D1
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Spécifications HTML
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IGOT60R070D1
Classification de l'environnement et des exportations
LES ATTRIBUTS
DÉCRIS
Statut RoHS
Conforme à la spécification ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
3 (168 heures)
Statut REACH
Produits non REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
