Des produits

Nouveaux circuits intégrés d'origine A3G26D055NT4

Brève description:

Numéro de pièce Boyad

568-A3G26D055NT4TR-ND – Bande et bobine (TR)

568-A3G26D055NT4CT-ND – Bande de cisaillement (CT)

568-A3G26D055NT4DKR-ND – Bande et bobine personnalisées Digi-Reel®
fabricant

NXP USA Inc.
Numéro de produit du fabricant

A3G26D055NT4
décris

RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V
Délai standard du fabricant

20 semaines

Description détaillée

RF Mosfet GaN 48V 40mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7×6.5)
Numéro de pièce interne du client
Caractéristiques

Caractéristiques


Détail du produit

Étiquettes de produit

propriétés du produit

TAPER

DÉCRIS
Catégorie

Produits semi-conducteurs discrets

Transistor – FET, MOSFET – RF

 

fabricant

NXP USA Inc.
série

-
Forfait

Bande et bobine (TR)

Bande de cisaillement (CT)

Bobine personnalisée Digi-Reel®

 
État du produit

en stock
Type de transistor

GaN
la fréquence

100 MHz ~ 2,69 GHz
Gain

13,9dB
Tension – Test

48V
Courant nominal (Ampère)

-
Facteur de bruit

-
Courant – Test

40mA
puissance de sortie

8W
Tension – Nominale

125V
Paquet/Enceinte

Coussin exposé 6-LDFN
Emballage de l'appareil du fournisseur

6-PDFN (7×6.5)
Médias et téléchargements

TYPE DE RESSOURCE

LIEN

Caractéristiques

A3G26D055N

Informations environnementales

Certification RoHS de NXP USA Inc.

NXP USA Inc PORTÉE

Assemblage PCN/Source

COO/Label 15-avr-2022

Classification de l'environnement et des exportations

LES ATTRIBUTS

DÉCRIS

Statut RoHS

Conforme à la spécification ROHS3

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 heures)

Statut REACH

Produits non REACH

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075


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